九游jiuyou娱乐官网-先进制程狂奔，高纯压力测量面临哪些严峻挑战？

从FinFET到NanoSheet，从CFET到2DFET，每一次晶体管架构的革新，都伴随着EUV光刻、背面供电网络(BSPDN) 等技术的突破，推动芯片密度与性能不断跃升。而压力、流量、温度的精密控制也显得尤为重要，推动半导体行业从“尺寸微缩”到“架构革新”的范式转变。

在晶圆厂的无尘车间里，每一纳米精度的背后，都隐藏着无数参数控制的生死博弈。当工艺工程师在显微镜下追逐原子级的完美时，压力正悄然成为决定先进制程成败的关键命门。

成熟制程 vs 先进制程：压力测量的全面升级

当制程节点突破28nm，特别是进入FinFET、GAA等先进架构领域：

行业数据显示，关键工艺腔室中压力传感器的失效可能导致整批晶圆报废，单批次损失可达数百万美元级别。

高纯压力测量的五大生死劫

当EUV光刻机将图案精度推向物理极限，压力测量的微小误差会在原子层堆叠中放大为灾难性缺陷。据SEMI统计，先进制程中因传感器失效导致的非计划停机，占全厂产能损失的17%——这些痛点正吞噬着万亿级的产业投入。

破局之道何在？

我们将在下篇揭晓：

创新升级：高可靠性溅射薄膜技术如何突破高纯压力测量瓶颈？

■ 传统技术瓶颈与溅射薄膜优势

■ 第三代溅射薄膜技术的核心创新与壁垒

■ 第三代技术破局之道——五维痛点精准打击

→ 关注公众号，解锁《突破极限：第三代溅射薄膜技术如何重塑高纯压力传感？》